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全自動帶顯微鏡多點測量膜厚儀

簡要描述:硬(ying)化涂層(ceng)膜厚儀是一款快 速、準確測量薄膜表征應用的(de)模塊化解(jie)決方案,要求的(de)光斑尺寸小(xiao)到幾個微米,如微圖案表面(mian),粗糙表面(mian)及許多其他表面(mian)。

  • 產(chan)品型號:FR-Mic
  • 廠(chang)商性質:代理商
  • 產品資料(liao):
  • 更新(xin)時間(jian):2023-12-14
  • 訪  問  量: 8925

詳細介紹

硬化(hua)涂(tu)層膜厚(hou)儀是一款(kuan)快 速、準確測量薄膜(mo)表征應用(yong)的(de)模塊化解決方案(an),要(yao)求(qiu)的(de)光斑(ban)尺(chi)寸小(xiao)到幾個微米,如微圖案(an)表面(mian),粗(cu)糙表面(mian)及許多(duo)其他表面(mian)。它可以(yi)配備一臺計算機控(kong) 制的(de)XY工作臺,使(shi)其快 速、方便和(he)準確地(di)描繪樣(yang)品的(de)厚度和(he)光學(xue)特性圖。品牌屬于Thetametrisis。

Thetametrisis利用 FR-Mic,通過紫(zi)外(wai)/ 可(ke)(ke)見/ 近紅(hong)外(wai)可(ke)(ke)輕(qing)易對局部區域薄膜厚度(du),厚度(du)映射,光(guang)學常(chang)數(shu),反射率,折射率及(ji)消光(guang)系數(shu)進行測量。

【相關(guan)應用】

1.高校 & 研究所實(shi)驗(yan)室(shi)

2.半導體制(zhi)造

3.(氧化(hua)物/氮化(hua)物, 硅膜(mo), 光(guang)刻膠(jiao)及(ji)其(qi)他半(ban)導體薄(bo)膜(mo).)

4.MEMS 器件 (光(guang)刻膠, 硅膜等.)

5.LEDs, VCSELs

6.數據存(cun)儲

7.陽極處理

8.曲面基底的硬鍍(du)及軟鍍(du)

9.聚(ju)合物膜層, 粘合劑(ji)

10.生物醫學(聚對二甲苯, 生 物膜/氣泡壁厚度.)

11.還有許多…

Thetametrisis膜厚儀特點】

1、實(shi)時(shi)光譜測量(liang)

2、薄膜厚度(du),光(guang)學特(te)性,非(fei)均勻性測量, 厚度(du)映射

3、使用集成的,USB連接高品質(zhi)彩色(se)攝像(xiang)(xiang)機進行成像(xiang)(xiang)



Thetametrisis膜厚儀產(chan)品優(you)勢】

1、單擊即可分析 (無需初(chu)始(shi)預測)

2、動態測(ce)量

3、包(bao)含(han)光(guang)學參(can)數 (n & k, color)

4、可保存測量(liang)演示視頻錄像

5、超過 600 種不同(tong)材料(liao)o 多個離線分(fen)析(xi)配套裝置o 免費(fei)操作軟件升(sheng)級

【技(ji)術參數】

型號(hao)

UV/VIS

UV/NIR-EXT

UV/NIR-HR

DUV/NIR

VIS/NIR

DVIS/NIR

NIR

光譜波長范圍(nm)

200–850

200–1020

200-1100

200–1700

370–1020

370–1700

900–1700

光譜儀像素

3648

3648

3648

3648&512

3648

3648&512

512

膜(mo)厚測量范圍(wei)

5X-VIS/NIR

15nm–60μm

15nm–70μm

15nm–90μm

15nm–150μm

15nm–90μm

15nm–150μm

100nm–150μm

10X-VIS/NIR

10X-UV/NIR*

4nm–50μm

4nm–60μm

4nm–80μm

4nm–130μm

15nm–80μm

15nm–130μm

100nm–130μm

15X-UV/NIR*

4nm–40μm

4nm–50μm

4nm–50μm

4nm–120μm

20X-VIS/NIR

20X-UV/NIR*

4nm–25μm

4nm–30μm

4nm–30μm

4nm–50μm

15nm–30μm

15nm–50μm

100nm–50μm

40X-UV/NIR*

4nm–4μm

4nm–4μm

4nm–5μm

4nm–6μm

50X-VIS/NIR

15nm–5μm

15nm–5μm

100nm–5μm

測量n&k蕞小厚度

50nm

50nm

50nm

50nm

100nm

100nm

500nm

光源(yuan)

氘燈&鹵素(su)燈(internal)

鹵素燈(internal)

材(cai)料數據(ju)庫

>600不同材(cai)料(liao)

*測量面積(收集反射或透射信號的(de)面積)與顯(xian)微鏡(jing)物鏡(jing)和 FR-uProbe 的(de)孔徑大小有(you)關。

物鏡

光斑尺寸(μm)

500μm孔徑

250μm孔徑

100μm孔徑(jing)

5x

100μm

50μm

20μm

10x

50μm

25μm

10μm

20x

25μm

17μm

5μm

50x

10μm

5μm

2μm

【工(gong)作原理(li)】



*規格(ge)如(ru)有更改,恕(shu)不另(ling)行通知, 測量(liang)(liang)結果與校準的光譜橢偏儀(yi)和 XRD 相比(bi)較, 連續 15 天測量(liang)(liang)的標準方差(cha)平均值。樣品(pin):1um SiO2 on Si., 100 次厚度測量(liang)(liang)的標準方差(cha),樣品(pin):1um SiO2 on Si.

*超過 15 天的(de)標準偏差日平均值(zhi)樣品:1um SiO2 on Si。

以(yi)上資(zi)料來自Thetametrisis,如果有需要更加詳細(xi)的信(xin)息,請聯系我們(men)獲取。



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